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最近兩年，存儲芯片市場經(jīng)歷了過山車一般的大起大落。先是供大于求，價格跌至歷史新低。隨后便一路走高，漲價的勢頭至今已延續(xù)一年。
TrendForce集邦咨詢的研報顯示，在人工智能驅(qū)動的HBM和QLC的帶動下，預估DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)2024年營收年增幅度將分別增加75%和77%。預計至2025年，DRAM、NAND產(chǎn)業(yè)的營收還將分別有51%和29%的環(huán)比增長。
在連續(xù)的高速增長背后，有著存儲芯片供需關系的不斷調(diào)整，也有著隨著AI浪潮一同到來的新需求。
從大落到大起，存儲芯片坐上過山車
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事實上，在這輪“潑天富貴”之前，存儲芯片行業(yè)此前經(jīng)過了很長時間的低谷期。
早在疫情剛開始的2020年，由于全球性的芯片短缺，讓很多廠商對疫情和局勢產(chǎn)生了錯判，囤積了大量的芯片。最終結果就是導致供大于求，存儲芯片成為了廠商巨大的庫存壓力，因此在2022年到2023年上半年間，存儲芯片價格一直處于低位。
Strategy Analytics手機元件技術服務高級分析師Jeffrey Mathews指出，隨著需求端在2022年開始下降，行情供過于求。市場的供過于求強烈推動了下行周期，這是當時DRAM和NAND降價的主要原因。
但很快，上游廠商廠商就調(diào)整了產(chǎn)能策略和供需關系。彼時，2023年Q2的財報會議上，三星宣布下半年將繼續(xù)削減以NAND Flash為核心的存儲芯片產(chǎn)量。SK海力士則宣布下半年繼續(xù)減少5-10%的NAND Flash產(chǎn)量。美光將NAND Flash晶圓投片數(shù)量由之前的減產(chǎn)25%擴大到減產(chǎn)30%。鎧俠自2022年Q4就開始實施減產(chǎn)30%，2023年的減產(chǎn)幅度已經(jīng)擴大到了50%。
從2023年年中開始，存儲芯片的價格因為上游減產(chǎn)開始了一路飛漲，部分產(chǎn)品的價格在一年內(nèi)實現(xiàn)了價格翻倍。
真我全球副總裁、中國區(qū)總裁徐起在2024年4月的交流中告訴鈦媒體APP，2024年供應鏈價格上漲給到廠商的壓力很大，其中閃存價格上漲的趨勢尤其明顯。
從財務表現(xiàn)來看，各大存儲廠商在此輪漲價過程中賺的盆滿缽滿。海力士2024財年第二季度財報顯示，二季度營收為16.4萬億韓元（約118億美元），比去年同期上漲125%，為單季最高紀錄，凈利潤為4.12萬億韓元，較一季度上漲了115%。三星一季度利潤同比同比增長9倍，超過其2023年的利潤總和。美光則提前預期一季度實現(xiàn)扭虧為盈。
此前TrendForce集邦咨詢研究預估，存儲芯片的漲勢或?qū)⒀永m(xù)至2024年第一季度。但截止到2024年中，這一漲勢還沒有即將停止的勢頭。
AI接棒，HBM拉動存儲芯片持續(xù)增長
根據(jù)IDC發(fā)布的全球智能手機、PC市場報告，至2024年第二季度，全球智能手機出貨量已實現(xiàn)了連續(xù)四個季度的出貨量正增長，PC也實現(xiàn)了連續(xù)兩個季度的出貨量正增長。應該說從供需關系來看，智能手機、PC的全球性復蘇，已經(jīng)給到了上游足夠信心。
但更加重要的是，隨著ChatGPT引領的新一輪AI浪潮的興起，海量服務器對存儲芯片的需求急劇增長，這種需求的上限已經(jīng)變得難以估量。
從2023年開始，隨著新一輪人工智能浪潮的到來，存儲芯片行業(yè)內(nèi)也產(chǎn)生了新的需求。在一段時期內(nèi)，AI服務器的算力可以輕松破T（TOPS，每秒萬億次運算），但存儲器帶寬不能破T（TB/s，每秒萬億字節(jié)帶寬），這導致存儲芯片成為了AI鏈路上木桶效應的短板，出現(xiàn)行業(yè)所謂的“存儲墻”。
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相比于傳統(tǒng)的GDDR、LPDDR，HBM雖然也屬于DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）中的一個類別，但具有顯著的高帶寬、大容量、低延遲特點。在與同類產(chǎn)品的競爭中，憑借速度優(yōu)勢，HBM迅速擊敗同類產(chǎn)品成為了目前AI行業(yè)共同的選擇。
HBM最早發(fā)布于2013年，其最新一代產(chǎn)品HBM3E發(fā)布于2023年8月，2024年3月末開始供貨。據(jù)SK海力士，該產(chǎn)品最高每秒可以處理1.18TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)，相當于在1秒內(nèi)可處理230部FHD全高清電影。
目前HBM的主要制造商只有傳統(tǒng)的存儲芯片三巨頭，也就是SK海力士、三星和美光，目前SK海力士處于領先地位，三星第二，美光第三。
據(jù)TrendForce 集邦咨詢預估，2024年DRAM產(chǎn)業(yè)營收將達907 億美元，其中HBM將貢獻DRAM位元出貨量5%，營收貢獻可達到20%。
但從目前看來，三家現(xiàn)有的產(chǎn)能還無法滿足HBM高漲的需求。美光CEO Sanjay Mehrotra在2023年年底的財報會議上透露，其2024年的HBM產(chǎn)能預計已全部售罄；SK海力士副總裁Kim Ki-tae也表示，2024年即將生產(chǎn)的HBM已全部售罄。
為了延續(xù)HBM的業(yè)務增長，巨頭們選擇加注擴產(chǎn)。
先是在今年4月，SK海力士公布將投資約38.7億美元在美國印第安納州建造一座先進封裝廠和AI產(chǎn)品研發(fā)設施。隨后在7月26日，SK海力士宣布將投資約9.4萬億韓元(約合68億美元)在韓國龍仁市建設當?shù)氐谝患倚酒S，2025年3月開工，2027年5月竣工。監(jiān)管文件中顯示，這項投資旨在滿足對AI芯片的需求，確保未來的增長。
Yole Group的最新分析報告顯示，由于人工智能服務器的需求超過了其他應用，HBM在整個DRAM出貨量中所占的份額預計將從2023年的約2%上升到2029年的6%，由于HBM的價格遠高于DDR5，就收入而言，其份額預計將從2024年的140億美元攀升至2029年的380億美元。
值得注意的是，目前除了SK海力士、三星和美光，還沒有其它廠商能夠量產(chǎn)HBM產(chǎn)品，對此我國學者表示了擔憂。電子科技大學長三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)研究中心副主任黃樂天表示：“就好像一把槍，子彈供應跟不上，射速再快也沒用。無法解決HBM問題，我國算力就難以提升，人工智能在內(nèi)的諸多產(chǎn)業(yè)發(fā)展就將受限。”
今年三月，武漢新芯集成電路制造有限公司發(fā)布了《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發(fā)和產(chǎn)線建設》招標項目，利用三維集成多晶圓堆疊技術，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國產(chǎn)高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)品。擬新增設備16臺套，擬實現(xiàn)月產(chǎn)出能力>3000片(12英寸)。
國盛證券認為，武漢新芯發(fā)布該輪招標預示著長江存儲或其他潛在客戶擁有DRAM產(chǎn)品制造能力，將大幅提振國內(nèi)產(chǎn)業(yè)化信心。（本文首發(fā)于鈦媒體APP，作者｜吳泓磊，編輯｜鐘毅）
