尤為值得一提的是：至強(qiáng)6900P也是業(yè)內(nèi)首款性能核數(shù)量正式“破百”的產(chǎn)品，其他同級(jí)產(chǎn)品，不論是x86架構(gòu)還是Arm架構(gòu)都只達(dá)到了96核的水平。它們的性能核數(shù)量要追平英特爾，起碼得等到下個(gè)季度。
隨著內(nèi)核規(guī)模增加，至強(qiáng)6900P的L3緩存達(dá)到了504MB。為了配合倍增的核數(shù)和顯著提升的算力，至強(qiáng)6900系列的存力也大為增強(qiáng)，內(nèi)存帶寬方面不僅支持12通道DDR5 6400；并引入了新型內(nèi)存MR DIMM，把數(shù)據(jù)率大幅提升至8800MT/s，基本內(nèi)存帶寬可以達(dá)到第五代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器的2.3倍。另外，至強(qiáng)6還支持CXL 2.0，尤其是包括Type 3設(shè)備（也就是CXL內(nèi)存），可以進(jìn)一步擴(kuò)展內(nèi)存容量和帶寬。
至強(qiáng)6900P的UPI2.0鏈路也有很大改進(jìn)，速率提升到24GT/s，數(shù)量增加至6條，使得雙路互聯(lián)效率進(jìn)一步提升。結(jié)合內(nèi)核數(shù)量、內(nèi)存帶寬等方面的全面提升，至強(qiáng)6900P可以被視作高算力+高存力平臺(tái)的最強(qiáng)機(jī)頭，不論是科學(xué)計(jì)算，還是AI集群。根據(jù)已透露的測(cè)試，至強(qiáng)6900P平臺(tái)的數(shù)據(jù)庫、科學(xué)計(jì)算等關(guān)鍵應(yīng)用負(fù)載的表現(xiàn)是上一代產(chǎn)品的2.31倍-2.5倍，AI應(yīng)用性能是其1.83倍-2.4倍不等。
至強(qiáng)6的擴(kuò)展能力也有不小的提升。其中6900系列單插座不論是性能核還是能效核均可提供96通道PCIe 5.0，雙路即可提供192通道PCIe 5.0。未來上市的6700系列單路型號(hào)可以提供136通道PCIe 5.0，雙/多路型號(hào)單插槽也可以提供88通道。相較而言，第四、五代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器的PCIe 5.0通道數(shù)量為80。CXL支持能力方面，至強(qiáng)6 6900、6700系列都支持64通道CXL 2.0。
更多的內(nèi)核、更多的內(nèi)存通道、更多的PCIe通道需要更大規(guī)模的插座接口支持。 至強(qiáng)6帶來了兩種接口：LGA 4710和LGA 7529。至強(qiáng)6900系列使用面積較大的LGA 7529插座，提供最強(qiáng)大的內(nèi)存帶寬和擴(kuò)展能力，是未來高性能、高密度服務(wù)器的基矗至強(qiáng)6700以及未來的6500/6300系列使用LGA 4710，尺寸與第四、五代至強(qiáng)的LGA 4677相仿，內(nèi)存、PCIe的通道數(shù)相同或相近，有利于主流服務(wù)器內(nèi)部布局習(xí)慣的延續(xù)性。
改進(jìn)的EUV：Intel 3
核心規(guī)模的飆升首先得益于至強(qiáng)產(chǎn)品線終于獲得EUV光刻機(jī)的加持。在2023年發(fā)布的酷睿Ultra已經(jīng)率先使用了引入EUV的Intel 4制造工藝。而2024年發(fā)布的至強(qiáng)6則使用了進(jìn)一步改良的Intel 3制造工藝。
2021年7月，英特爾CEO帕特基爾辛格公布了“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”（5N4Y）的工藝路線圖。Intel 3的量產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)位于2023年底，節(jié)奏基本符合計(jì)劃。從基于Intel 4制造工藝的酷睿Ultra的市場(chǎng)表現(xiàn)看，EUV的加持確實(shí)明顯提升了英特爾處理器的競爭力。至強(qiáng)6所采用的Intel 3制造工藝相對(duì)Intel 4可以規(guī)劃更多的金屬層、擁有更多細(xì)分版本。
Intel 3在更多的步驟中應(yīng)用EUV光刻，可以提供更密集的設(shè)計(jì)庫、更高的晶體管驅(qū)動(dòng)電流。Intel 3還有三種變體，包括3-T、3-E和3-PT。Intel 3、3-T是基本工藝，主要用于CPU；3-E是功能擴(kuò)展；三者都支持TSV；Intel 3的這三種變體與Intel 4相比可以提升18%的性能功耗比。而3-PT進(jìn)一步增加混合鍵合的支持能力，帶來了更高的性能并且易于使用。Intel 3所有四種節(jié)點(diǎn)變體都支持240 nm高性能和210 nm高密度庫，而Intel 4只支持240 nm高性能庫。
對(duì)于性能取向，Intel 3針對(duì)高性能運(yùn)算進(jìn)行優(yōu)化，可以支持低電壓(1.3V)運(yùn)行，且在各電壓下的頻率均高于Intel 4。
微架構(gòu)大迭代
至強(qiáng)6900P采用的性能核微架構(gòu)代號(hào)Redwood Cove。Redwood Cove也是近年來英特爾最重要的微架構(gòu)迭代，不但給服務(wù)器產(chǎn)品線帶來了新名字，在消費(fèi)類產(chǎn)品線同樣開啟了新的命名序列酷睿Ultra。
我們先快速回顧一下Redwood Cove的上一代Golden Cove/ Raptor Cove。Golden Cove其實(shí)也是非常重要的迭代，在消費(fèi)類開啟了大小核時(shí)代（第12代酷睿處理器），在服務(wù)器上就是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器。Golden Cove相對(duì)其前代的微架構(gòu)大幅度提升了前端：
Golden Cove的后端當(dāng)然也有提升，譬如重排序緩沖區(qū)、分支目標(biāo)緩沖區(qū)也有大概30%左右的提升，只是相對(duì)前端幅度不那么大。
Raptor Cove的微架構(gòu)與Golden Cove差異不大，表現(xiàn)在實(shí)際產(chǎn)品上主要是緩存的提升，如基于Raptor Coved的第13代酷睿（Raptor Lake）的每核心L2緩存從12代（Alder Lake）的1.25MB提升到2MB；第五代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（Emerald Rapids）和第四代（Sapphire Rapids）每個(gè)核心的L2緩存都是2MB，但前者每個(gè)網(wǎng)格的末級(jí)緩存（Last Level Cache，也可繼續(xù)俗稱為L3緩存）從后者的1.875MB猛增到5MB。
Redwood Cove相對(duì)Golden Cove/ Raptor Cove的最重要變化是：
當(dāng)然，Redwood Cove還有一個(gè)重大的優(yōu)勢(shì)就是“命好”，也就是前面提到的EUV制造工藝。但即使有革命性的制造工藝加持，至強(qiáng)6性能核也沒過分?jǐn)U張每個(gè)內(nèi)核的規(guī)模。就至強(qiáng)6性能核的內(nèi)核而言，每個(gè)網(wǎng)格節(jié)點(diǎn)是一個(gè)P核，每個(gè)P核配置私有的2MB L2緩存，以及共享的4MB 末級(jí)緩存。雖然平均到每個(gè)核的緩存容量并不比上一代至強(qiáng)（Emerald Rapids）多，但勝在總核數(shù)翻倍后。至強(qiáng)6性能核每個(gè)處理器可共享的末級(jí)緩存總?cè)萘恳琅f達(dá)到504MB，遠(yuǎn)超第五代的320MB和第四代的112.5MB。
在此也順便提一下至強(qiáng)6能效核的微架構(gòu)Crestmont。這個(gè)微架構(gòu)同樣出現(xiàn)在了酷睿Ultra的能效核當(dāng)中。Crestmont是2或4個(gè)內(nèi)核為一組共享L2緩存。在至強(qiáng)6能效核當(dāng)中，每2或4個(gè)內(nèi)核與4MB的L2緩存（在酷睿Ultra中則為2MB）構(gòu)成一個(gè)模塊，這幾個(gè)內(nèi)核共享頻率和電壓域。這個(gè)模塊對(duì)應(yīng)的網(wǎng)格還擁有可整個(gè)處理器全部內(nèi)核共享的3MB的末級(jí)緩存。換句話說，雖然至強(qiáng)6能效核的核數(shù)更多，但實(shí)際上網(wǎng)格規(guī)模比至強(qiáng)6性能核校
能效核的指令緩存與性能核都是64KB，但數(shù)據(jù)緩存分別是32KB和48KB。前端的指令解碼器寬度也有差異，分別為6和8寬。指令亂序執(zhí)行引擎差異較大，能效核是256條而性能核是512條。能效核不支持性能核所支持的AVX-512和AMX，這也可以明顯減小矢量運(yùn)算單元的晶體管占用，但代價(jià)是每周期的單精度浮點(diǎn)運(yùn)算次數(shù)有了數(shù)量級(jí)的差異。但能效核也改進(jìn)了AVX2，增加了VNNI的INT8和BF16/FP16快速轉(zhuǎn)換，這樣在處理AI應(yīng)用的時(shí)候表現(xiàn)也還有所改善。另外，其256位加密和1024/2048密鑰也獲得了能效核的支持，確保至強(qiáng)6平臺(tái)的安全水平基本一致。
緩存規(guī)模、前端寬度以及矢量單元的差異，使得至強(qiáng)6性能核和能效核有不同的定位。早先發(fā)布的至強(qiáng)6能效核更適合微服務(wù)等運(yùn)算強(qiáng)度相對(duì)較輕，可在高核心數(shù)量和規(guī)模擴(kuò)展方面收益的任務(wù)，以追求更高的能效、更高的機(jī)架利用率。而現(xiàn)在發(fā)布的至強(qiáng)6性能核更適合大數(shù)據(jù)、建模仿真等計(jì)算密集型和人工智能任務(wù)，為高性能優(yōu)化，單顆處理器的功耗直飚500W當(dāng)然，跟同期發(fā)布的Gaudi AI加速器的新品或類似的加速器產(chǎn)品相比，能耗是應(yīng)有的代價(jià)，有能力提升性能上限才是正經(jīng)事。
內(nèi)存性能大躍進(jìn)
內(nèi)存（DRAM）的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)依賴電容，這個(gè)特點(diǎn)使其微縮和提速的難度大于晶體管。因此內(nèi)存并沒有沾摩爾定律的光，帶寬和密度的增長落后于CPU、GPU的發(fā)展。內(nèi)存帶寬滯后于CPU內(nèi)核數(shù)量的增長導(dǎo)致一個(gè)長期問題：平均每個(gè)內(nèi)核的內(nèi)存帶寬增長乏力，甚至出現(xiàn)倒退。譬如第三代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器內(nèi)核數(shù)28，內(nèi)存是八通道DDR4 3200，理論上的內(nèi)存總帶寬為205GB/s，平均每核7.3GB/s；四代是56或60核，內(nèi)存八通道DDR5 4800，總帶寬307GB/s，平均每核5.5GB/s；五代提升到DDR5 5600，內(nèi)核再增加到64，平均帶寬改進(jìn)甚微。第四、五代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器雖然引入了新一代的DDR5內(nèi)存，但由于內(nèi)核數(shù)量相對(duì)三代翻倍，內(nèi)存帶寬的增長幅度還是跟不上。同時(shí)期其他廠商的CPU核數(shù)在屢屢躍進(jìn)的過程當(dāng)中也存在同樣的問題。為了彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬增長較慢的問題，第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器給部分用于科學(xué)計(jì)算的型號(hào)引入了HBM，五代則大幅度增加了末級(jí)緩存的容量，并支持CXL 2.0內(nèi)存擴(kuò)展。
在至強(qiáng)6900P上，內(nèi)存問題終于得到了比較好的解決。這涉及三個(gè)角度：
1.大容量末級(jí)緩存。前面提到過，6900P每個(gè)網(wǎng)格提供4MB L3，總?cè)萘窟_(dá)到了504MB，分別是四代的4.5倍、五代的1.6倍。而且，至強(qiáng)的全網(wǎng)格架構(gòu)使得任意內(nèi)核訪問末級(jí)緩存的延遲相比其他廠商的一些產(chǎn)品有更優(yōu)的表現(xiàn)，例如不需要跨計(jì)算單元而造成延遲劇增。這種架構(gòu)效率更高的優(yōu)勢(shì)也是至強(qiáng)在核數(shù)曾落后的情況下還能打的有來有往的關(guān)鍵原因。
2.DDR5內(nèi)存雙管齊下提升帶寬。至強(qiáng)6900系列支持12通道DDR5 6400，總帶寬可以達(dá)到614GB/s，平均每核的帶寬大致還有5GB/s的水平。6900P還支持新型內(nèi)存MRDIMM，頻率提升至8800MT/s，總帶寬達(dá)到了845GB/s，平均每核6.6GB/s，也明顯超過了前兩代產(chǎn)品，大幅度逆轉(zhuǎn)了內(nèi)核數(shù)量增加、平均內(nèi)存帶寬不升反降的問題。
MR（Multiplexed Rank）DIMM打開了DDR內(nèi)存性能提升的新方向。DRAM通常由1到2個(gè)Rank組成，每個(gè)Rank的位寬為64位，如果考慮ECC，那就會(huì)有72或80位，但有效的數(shù)據(jù)是64位。消費(fèi)類內(nèi)存（UDIMM）可能只有1個(gè)Rank（顆粒數(shù)量較少的情況下），但追求大容量的服務(wù)器內(nèi)存（RDIMM）基本上都至少有2個(gè)Rank。在以往的內(nèi)存模式當(dāng)中，一次只讀取一個(gè)Rank的數(shù)據(jù)，另一個(gè)Rank暫時(shí)閑置時(shí)可以做刷新操作，以保持?jǐn)?shù)據(jù)這種輪流讀娶刷新Rank的特點(diǎn)延續(xù)了多年。MRDIMM設(shè)計(jì)了一個(gè)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，通過將兩個(gè)內(nèi)存Rank分別讀入這個(gè)緩沖區(qū)，再從緩沖區(qū)一次性傳輸?shù)紺PU的內(nèi)存控制器，由此實(shí)現(xiàn)了帶寬翻倍。第一代DDR5 MRDIMM的目標(biāo)速率為8800 MT/s，其實(shí)每個(gè)Rank只相當(dāng)于4400MT/s�，F(xiàn)在DDR5 6400已經(jīng)開始普及，因此MR DIMM的第二階段目標(biāo)是達(dá)到12800 MT/s，預(yù)計(jì)在2030年代的三代會(huì)提升至17600 MT/s。
3.CXL 內(nèi)存擴(kuò)展。第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器開始引入CXL支持，當(dāng)時(shí)是1.1版本，暫時(shí)也沒有公開支持Type 3設(shè)備（也就是CXL內(nèi)存）。從第五代開始正式引入了CXL 2.0，包括Type 3，可以幫助擴(kuò)展內(nèi)存容量和帶寬。在至強(qiáng)6上，CXL設(shè)備的應(yīng)用將更為普及，關(guān)鍵的CXL2.0標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，以及后向兼容的CXL1.1設(shè)備，預(yù)計(jì)都會(huì)陸續(xù)涌現(xiàn)。
這里重點(diǎn)說一下CXL內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)。CXL2.0支持鏈路分叉，使一個(gè)主機(jī)端口可以對(duì)接多個(gè)設(shè)備，而且提供更強(qiáng)的CXL內(nèi)存分層支持，可實(shí)現(xiàn)容量和帶寬擴(kuò)展。至強(qiáng)6支持3種CXL內(nèi)存擴(kuò)展模式：CXL Numa Node、CXL Hetero Interleaved、Flat Memory。
在CXL Numa Node模式下，系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存和CXL擴(kuò)展內(nèi)存被視為兩個(gè)獨(dú)立的Numa節(jié)點(diǎn)進(jìn)行控制。每個(gè)Numa節(jié)點(diǎn)都有自己的內(nèi)存地址空間，系統(tǒng)軟件或應(yīng)用程序可以將任務(wù)分配到不同的Numa節(jié)點(diǎn)，從而優(yōu)化內(nèi)存的使用。CXL Numa Node模式適用于需要精細(xì)內(nèi)存管理的應(yīng)用，可以通過操作系統(tǒng)、虛擬機(jī)管理程序（Hypervisor）或應(yīng)用程序本身來輔助分層管理內(nèi)存。
Hetero Interleaved（異構(gòu)交織）模式通過將系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存和CXL內(nèi)存混合在一起，形成一個(gè)統(tǒng)一的Numa節(jié)點(diǎn)。每個(gè)內(nèi)存地址空間中的數(shù)據(jù)可以交替存儲(chǔ)在DRAM和CXL內(nèi)存中，從而均衡內(nèi)存帶寬，減少延遲。異構(gòu)交織模式適用于對(duì)內(nèi)存帶寬有高需求的應(yīng)用，特別是當(dāng)需要將DRAM和CXL內(nèi)存結(jié)合使用時(shí)。此模式只有在配備性能核的至強(qiáng)6700P、6900P上才支持。假設(shè)將每顆至強(qiáng)6900P的64通道CXL用滿，可以額外增加256GB/s的內(nèi)存帶寬，單處理器就可以實(shí)現(xiàn)TB級(jí)的內(nèi)存帶寬，還是相當(dāng)可觀的。
Flat Memory（平面內(nèi)存）模式下，CXL內(nèi)存和標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存被視為單一的內(nèi)存層，操作系統(tǒng)可以直接訪問統(tǒng)一的內(nèi)存地址空間。硬件輔助的分層管理可以確保常用數(shù)據(jù)優(yōu)先存儲(chǔ)在標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存中，次要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在CXL內(nèi)存中，從而最大限度地提升內(nèi)存使用效率。平面內(nèi)存模式最大的價(jià)值在于無需修改軟件即可利用CXL內(nèi)存擴(kuò)展，而且這種模式適用于所有的至強(qiáng)6處理器。但平面內(nèi)存模式要求標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存和CXL內(nèi)存是1:1配置，這略為限制了硬件采辦、升級(jí)的靈活性。整體而言，平面內(nèi)存模式是至強(qiáng)6時(shí)期最易用、收效最直觀的模式，有望成為CXL內(nèi)存擴(kuò)展的主要模式。
踏上Chiplet異構(gòu)之路
至強(qiáng)6是至強(qiáng)家族首次將計(jì)算和IO芯片獨(dú)立，再通過Chiplet形式封裝在一起，總算是把高級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)真正發(fā)揮出來了。
第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器是英特爾的首個(gè)Chiplet設(shè)計(jì)的至強(qiáng)處理器。其XCC版本內(nèi)部是4顆芯片通過10組EMIB對(duì)等連接，每顆芯片提供15個(gè)內(nèi)核、2通道內(nèi)存控制器、1組加速單元，以及UPI、PCIe PHY若干。另外，還可以通過EMIB封裝4顆HBM。
第五代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器使用2顆芯片封裝而成，所使用的EMIB數(shù)量明顯減少，相應(yīng)地也節(jié)約了芯片面積。雖然內(nèi)核數(shù)量略有增加，但也損失了UPI、PCIe的數(shù)量，也不再能夠搭配HBM。
隨著制造工藝演進(jìn)，偏重計(jì)算性能和晶體管密度的處理器內(nèi)核，與偏重高速信號(hào)互聯(lián)的IO控制器對(duì)制造工藝的要求產(chǎn)生了差異，因此，典型的Chiplet設(shè)計(jì)將計(jì)算和IO分離，分別應(yīng)用不同的制造工藝。英特爾在14代酷睿上便采用了這種方式，分為Compute Tile、SoC Tile、IO Tile、Graphic Tile。代號(hào)Ponte Vecchio的英特爾Data Center GPU Max利用Foveros和EMIB技術(shù)，將47個(gè)小芯片封裝在一起，包括Compute Die、Base Die、Rambo、IO Die等。
至強(qiáng)6終于也拆分成計(jì)算單元（Compute Tile）和IO單元（IO Tile），分別由Intel 3和Intel 7工藝制造。
計(jì)算單元
根據(jù)收集到的信息，對(duì)于能效核，目前只出現(xiàn)了一種計(jì)算單元的設(shè)計(jì)，每個(gè)單元最多提供144個(gè)內(nèi)核、4組內(nèi)存控制器共八通道；對(duì)于性能核，則是有三種計(jì)算單元的設(shè)計(jì)，可分別用于組合高核數(shù)、中等核數(shù)、低核數(shù)的規(guī)格。
至強(qiáng)6900P使用了三個(gè)計(jì)算單元，每個(gè)單元43個(gè)內(nèi)核、兩個(gè)內(nèi)存控制器，總共構(gòu)成129個(gè)內(nèi)核（只使用128個(gè)）和12個(gè)內(nèi)存通道。這種計(jì)算單元姑且稱之為單元A，三個(gè)單元A構(gòu)成的處理器被稱為UCC。
未來發(fā)布的6700P核數(shù)跨度會(huì)很大，其中單路型號(hào)規(guī)劃為16~80核，多路型號(hào)為8~86核。單元A有4個(gè)內(nèi)存通道，兩個(gè)單元A組合可以提供最高86核，下限應(yīng)該不低于48核（否則屏蔽的內(nèi)核數(shù)量就實(shí)在太多，也太浪費(fèi)EMIB成本），這種規(guī)模的處理器被稱為XCC。48核以下的中等核數(shù)被稱為HCC，使用一種專門開發(fā)的單元B，每個(gè)單元提供48個(gè)內(nèi)核和4個(gè)內(nèi)存控制器。HCC核數(shù)的下限預(yù)計(jì)在24核左右。8和16核的6700P被稱為LCC，需要使用第三種單元C，16個(gè)內(nèi)核和4個(gè)內(nèi)存控制器。
通過使用3種計(jì)算單元進(jìn)行組合，至強(qiáng)6性能核可以構(gòu)建跨度從8~128核的、非常綿密的規(guī)格。也許會(huì)有人認(rèn)為，相比其他廠商只用一種規(guī)格計(jì)算單元實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展的設(shè)計(jì)，英特爾需要設(shè)計(jì)三顆不同的芯片的成本會(huì)更高。但我認(rèn)為，這是英特爾優(yōu)先考慮性能的結(jié)果。首先，至強(qiáng)6將內(nèi)存控制器安排在計(jì)算單元中，離內(nèi)核更近，延遲更低，即使因此犧牲了單元組合使用的靈活性也是值得的。其次，至強(qiáng)6性能核給不同規(guī)模的內(nèi)核數(shù)量規(guī)劃不同的網(wǎng)格規(guī)模，有利于降低核間的延遲，甚至，有可能LCC會(huì)針對(duì)較低的核數(shù)改用環(huán)形總線。綜上，預(yù)計(jì)至強(qiáng)6性能核相對(duì)同等規(guī)模的其他廠商的產(chǎn)品依舊可能會(huì)擁有內(nèi)存延遲低、緩存延遲低的優(yōu)勢(shì)。
IO單元
IO單元方面，至強(qiáng)6900、6700系列都使用2顆相同的IO芯片。每個(gè)IO芯片由2個(gè)IO模塊、4個(gè)UIO模塊、2個(gè)加速器模塊，以及IO網(wǎng)絡(luò)接口構(gòu)成。每個(gè)IO模塊提供x16 PCIe或CXL連接；每個(gè)UIO模塊提供x24 UPI2.0，或復(fù)用為x16的PCIe或CXL；每個(gè)加速器模塊提供DSA、IAA、QAT、DLB加速器各一個(gè)。
以這次發(fā)布的至強(qiáng)6900P為例，兩個(gè)IO單元總共提供8個(gè)UIO和4個(gè)IO模塊。其中6組UIO負(fù)責(zé)提供6個(gè)UPI2.0互連，剩余的2個(gè)UIO和4個(gè)IO模塊正好提供6×16=96通道的PCIe 5.0。雙路至強(qiáng)6900P的UPI不但速率高（24GT/s，高于五代的20GT/s和四代的16GT/s），連接數(shù)量也提升了50%。
對(duì)于還未發(fā)布、也是主力產(chǎn)品的至強(qiáng)6700系列，估計(jì)由于要使用規(guī)模較小的插座，只提供最多4組UPI用于多路的互聯(lián)，PCIe通道也有所縮減。但即使如此，至強(qiáng)6700系列的單路型號(hào)在將所有UIO配置為PCIe之后，單插槽就可以提供多達(dá)136個(gè)PCIe通道，或64通道CXL。如果用單路至強(qiáng)6700配合半寬主板構(gòu)建雙節(jié)點(diǎn)服務(wù)器，那一個(gè)機(jī)箱內(nèi)的PCIe/CXL擴(kuò)展能力（272 /128）遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過已知的任何雙路服務(wù)器。這種機(jī)箱可能會(huì)成為新的池化形態(tài)，可以更高的密度提供NVMe存儲(chǔ)、CXL內(nèi)存、加速器等。
結(jié) 語
由于英特爾在14nm到10nm制造工藝的迭代過程遇到了一些問題，以致此前幾代至強(qiáng)平臺(tái)在“核戰(zhàn)”（比拼核數(shù)）中略顯被動(dòng)，但這個(gè)局面在至強(qiáng)6上有望完全逆轉(zhuǎn)。改良后的EUV制造工藝看來沒有束縛至強(qiáng)6的實(shí)力，核心數(shù)量、緩存容量、內(nèi)存帶寬等關(guān)鍵指標(biāo)全都進(jìn)入領(lǐng)先行列，一句話總結(jié)就是算力和存力的表現(xiàn)全部拉滿。至強(qiáng)6900P系列在各種項(xiàng)目的測(cè)試當(dāng)中，其代際性能提升就都是以倍數(shù)計(jì)，而非百分之十幾、幾十的進(jìn)步。這種形勢(shì)也使得英特爾得以全面競爭科學(xué)計(jì)算、大數(shù)據(jù)、AI等領(lǐng)域的性能王座。
此外，至強(qiáng)6終于實(shí)現(xiàn)計(jì)算與IO的解耦，也讓至強(qiáng)6及未來的產(chǎn)品線走上了正確、靈活的道路，得以充分發(fā)揮Chiplet的優(yōu)勢(shì)。將Chiplet視作降低成本、提高良率的手段是狹隘的。Chiplet的價(jià)值在于靈活、復(fù)用、重構(gòu)。英特爾長期以來很注重細(xì)分市場(chǎng)的耕耘，產(chǎn)品線非常復(fù)雜，正確利用Chiplet可以達(dá)到事半功倍的效果。我們非常期待至強(qiáng)6后續(xù)產(chǎn)品的陸續(xù)發(fā)布能夠給業(yè)界帶來什么樣的想象力。
